Dünnschichtmaterialien für photovoltaische Anwendungen

Beschreibung

Das Ziel dieser Arbeit ist es, die Möglichkeit der Anwendung eines binären Halbleitermaterials mit Silizium als reaktionsfreudigstem Halbleiter in der Solarzellentechnologie zu untersuchen. Siliziumkarbid enthält einen wichtigen und weit verbreiteten Leiter nicht nur wegen seiner physikalischen Eigenschaften, sondern auch wegen seiner photovoltaischen Eigenschaften, die bei der Herstellung von Zellen in der Entwicklung von Halbleitermaterialien für die Photovoltaik-Technologie genutzt werden können. Die Studie konzentriert sich auf ein binäres Silizium-Kohlenstoff-Bauteil, beginnend mit der grundlegenden Prospektion der strukturellen und elektronischen Eigenschaften von SiC unter dem Wien2k-Code; Eine numerische Simulation mit SCAPS-1D von zwei Formen von PN und PiN auf der Grundlage von SiC und 3C-SiC genauer präsentiert einen angemessenen Prozess für die Wahl des am besten geeigneten Materials als transparente Schicht mit diesem Material und damit die Möglichkeit, eine bessere Leistung dieser Photovoltaik-Zelle über die 20%. Die Untersuchung einiger Parameter, die eine wichtige Rolle bei der Verbesserung der